LEXES介绍

LEXES technique schematic
低能量电子激发X射线发射光谱法(LEXES)就是用低能量电子束照射固体样品并分析目标发射的软X射线。由于X射线是发射元素的特征,因此实现了选择性元素分析。分析的深度可介于1至700纳米之间,具体取决于元素、基质和入射电子能量等参数。

入射电子/物质相互作用以及软X射线吸收的精确建模可实现在较宽的浓度范围内(从100at%至几十ppm)对取样深度进行精确元素定量。基质效应较小且进行良好建模。因此,很容易获得标准样品(纯原料或化学计量化合物)。

LEXES技术的一个主要应用是在较宽的剂量范围内进行超浅注入物的快速定量剂量测量,退火或不退火均可。除了剂量测量之外,深度分布信息还可以从不同初始能量(不同采样深度)的信号分析中提取。LEXES是一项及其灵敏的技术,因此可完美地满足低能量和超低能量注入技术的需求。电子束尺寸与图案化晶圆完全兼容。

除注入物计量以外,还可以监测所有氧化物和/或金属堆栈中的化学组分(从几埃米到几百纳米)。可测定主要关键参数,如高介电金属闸极(HKMG)中的镧和铝的剂量以及氮氧化物中氮和氧的定量。在诸如硅锗(SiGe)的外延层中,可以同时测量硅锗层的组成和厚度以及硼或磷掺杂物。

日益增加的超低能量注入物精确剂量测量需求,以及CAMECA在SIMSEPMA领域所掌握的专业知识,使EX-300 Shallow Probe应运而生——这个独特、创新的计量工具在LEXES技术基础上开发而来。