氮化镓 (GaN) 因其卓越的性能而在电力电子材料中脱颖而出，可在设备中实现高击穿电压和低导通电阻。 充分的离子注入是获得最佳性能 GaN 器件的关键。 注入层内深层物质扩散的挑战构成了重大障碍，动态二次离子质谱 (D-SIMS) 卓越的深度分析能力可以有效解决这些障碍。 即使对于最具挑战性的轻元素，该技术也能提供高动态范围和出色的检测限。
在这项最近的研究中，采用 D-SIMS 通过深度分析各种物质（包括 Mg 和 H）来测量杂质，揭示它们在注入 GaN 材料中的扩散行为。
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Investigating Magnesium Diffusion in GaN with Dynamic SIMS