超浅注入物计量(EXLIE SIMS)

Implant monitoring with EXLIE SIMS tool
最新的半导体芯片制造和CMOS器件的进一步缩小将接面深度限制降至10纳米范围以下,其剖面陡度为1-2纳米每十倍。在这样的尺度下,SIMS技术可用于监测掺杂物的深度分布,证明SIMS剖面可以以高于1纳米每十倍的深度分辨率进行测量。

利用极限低碰撞能量SIMS实现亚纳米深度分辨率
SC Ultra和IMS Wf离子源的最新创新在于以非常低的碰撞能量下提高了一次离子束密度,从而使Cs+和O2+ @ 150eV的溅射速率均达到1纳米/分钟。各种可用的一次离子碰撞能量让我们能够选择适当的分析条件以获得精确的深度浓度分布。每个剖面的高动态范围是高精度测量的关键要素。

EXILE方案的主要优点之一是将亚纳米深度分辨率与精确的近表面量化相结合,从而给出精确的注入掺杂物种分布。

以上显示的是低能量注入剖面图,揭示了前10纳米内的真实分布。砷:250eV - 磷:200eV - 硼:100eV。