硅掺杂(AlxGa1-x)2O3的高掺浓度时的化学偏析

用三维原子探针研究了硅掺杂(AlxGa1–x)2O3的原子级结构化学。研究的掺杂浓度范围从1018到1021 cm–3。在高掺杂区域（≥1020 cm–3）下，在体相(AlxGa1–x)2O3基体中观察到Al偏析。观察到的Al偏析归因于在高掺杂浓度下Al–O、Ga–O和Si–O之间的键长差增加，以及与Ga原子相比Al的较高表面迁移距离。

在美国水牛城纽约州立大学材料设计与创新系的CAMECA LEAP 5000 XR仪器上分析。图片由Jith Sarker提供。