SIMS 4550

半导体中的四极杆SIMS掺杂物深度剖析和薄层分析
CAMECA SIMS 4550为光学器件中的硅、高k、硅锗以及III-V族化合物等复合材料的薄层提供超浅深度剖析、痕量元素和组分测量等一系列扩展功能。
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    高深度分辨率和高通量
    随着器件尺寸不断缩小,当今半导体的注入物剖面和层厚度通常在1-10纳米的范围内。SIMS 4550通过提供碰撞能量可从5keV降至低于150eV的氧和铯高密度一次离子束进行优化,充分满足上述应用领域的需求。

    灵活性
    CAMECA的SIMS 4550是一款动态SIMS工具,可在溅射条件(碰撞角度、能量、物种)方面提供全面的灵活性。在样品溅射过程中,通过电荷补偿(电子枪、激光)专用选项可以轻松分析绝缘材料。SIMS 4550可测量层厚度、对准度、陡度、完整性、均匀性和化学计量。样品架可容纳多种样品:几毫米的薄片至直径100毫米的样品。

    高精度和自动化
    最先进的四极杆分析仪的光路、峰噪比等都是降低痕量元素检出限的关键因素。凭借先进的特高真空设计以及低至E-10mbar(E-8Pa)范围内的主室压力,SIMS 4550可为氢、碳、氮和氧提供出色的灵敏度。超稳定的离子源和电子设备确保达到最高精度以及RSD小于0.2%的测量重复性。
    通过易于使用的软件、预定义方案、远程操作以及故障排除,充分考虑了人为因素对精度的影响。每次测量的所有仪器参数设置都存储在数据库中。因此重复测量只需点击几下鼠标即可完成。其他自动化功能

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  • 科学出版物 +


    Below is a selection of Quadrupole SIMS publications
    Imaging and hydrogen analysis by SIMS in zirconium alloy cladding: a dual ion beam approach. N.Mine, S.Portier and M.Martin. Surface and Interface Analysis. Volume 46, Issue S1, pages 249–252, November 2014

    Shallow As dose measurements of 300mm patterned wafers with Secondary Ion Mass Spectrometry and Low energy Electron induced X-ray Emission Spectroscopy. H.U. Ehrke, N. Noible, M.P. Moret, F. Horreard, J. Choi, C. Hombourger, V. Paret, R. Benbalagh, N. Morel, M. Schuhmacher, J. Vac. Sci. Technolo. B 28 (1), 1071-1023, Jan/Feb 2010

    Thickness dependence of hole mobility in ultrathin SiGe-channel p-MOSFETs.
    C.N. Chleirigh, N.D. Theodore, H. Fukuyama, S. Mure, H.-U. Ehrke, A. Domenicucci, J.L. Hoyt, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 55, Issue 10, pp 2687-2694, October 2008

    SIMS analysis of implanted and RTP annealed wafers for sub-100nm technology. H-U.Ehrke, A.Sears, W.Lerch, S.Paul, G.Roters, D.F.Downey, E.A.Arevalo. Paper at USJ 2003 published in JVST-B 22(1) Jan-Feb 2004

    Quantification of Ge and B in SiGe using secondary ion mass spectrometry. H-U.Ehrke, H.Maul, Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 8, Issues 1-3, 2005, 111-114

    Charge compensation using optical conductivity enhancement and simple analytical protocols for SIMS of resitive Si1-xGex alloy layers. M. G. Dowsett and al. Applied surface science, 9299 (2002) 1-4

    Establishing an accurate depth-scale calibration in the top few nanometers of an ultrashallow implant profile.
    M. G. Dowsett et al, Phys. Rev. B 65, 113412 (2002)