IMS 7f-Auto在半导体行业的掺杂物监测中得到广泛使用,并应用于不同的物种和材料系统。
动态SIMS是测量半导体中痕量杂质浓度的最高效的技术之一。
超低碰撞能量SIMS工具用于监测掺杂物的深度分布。
原子探针断层分析术具备在更小的晶体管器件中映射掺杂物的空间分布和化学特性的独特能力。
EX-300 Shallow Probe具备检测新型三维结构设备中的组分变化的独特能力,例如N沟道场效应晶体管(n-FET)中的P/A以及P沟道场效应晶体管(p-FET)中的Ge/B……