深和浅注入物深度剖析(SIMS)

Deep and shallow implant depth profiling
在半导体技术领域,材料和随之产生的分析问题日新月异。凭借出色的深度剖析能力,CAMECA IMS 7f-Auto在半导体行业的掺杂物监测中得到广泛使用,并应用于不同的物种和材料系统。其主要优点包括:两个高亮度离子源(Cs+和O2+)、高透过率、高质量分辨率……

为深注入物提供极低的检出限
可在几分钟内对深注入物进行数微米的深度剖析,具有极佳的灵敏度和高动态范围。对于三种主要的硅掺杂物(硼、磷和砷),可以实现ppb范围的检出限。与TOF-SIMS相反,当溅射速度提高时,IMS 7f-Auto的检出限将得到改进。
左图:磷注入硅中——为深注入物提供极低的检出限和高样品通量(总分析时间为200秒)。

为浅注入物提供优化的深度分辨率
在CAMECA IMS 7f-Auto上,冲击能量可以不断降低至500eV,提供出色的深度分辨率,同时保持较高的灵敏度。因此,IMS 7f-Auto可用于表征浅注入样品或薄层结构上掺杂物和杂质的深度分布。
右图:硅中的浅硼注入物——出色的深度分辨率,用于低能量深度剖析。