在半导体技术领域，材料和随之产生的分析问题日新月异。凭借出色的深度剖析能力，CAMECA
IMS 7f-Auto在半导体行业的掺杂物监测中得到广泛使用，并应用于不同的物种和材料系统。其主要优点包括：两个高亮度离子源（Cs+和O2+）、高透过率、高质量分辨率……
为深注入物提供极低的检出限
可在几分钟内对深注入物进行数微米的深度剖析，具有极佳的灵敏度和高动态范围。对于三种主要的硅掺杂物（硼、磷和砷），可以实现ppb范围的检出限。与TOF-SIMS相反，当溅射速度提高时，IMS 7f-Auto的检出限将得到改进。
左图：磷注入硅中——为深注入物提供极低的检出限和高样品通量（总分析时间为200秒）。
为浅注入物提供优化的深度分辨率
在CAMECA IMS 7f-Auto上，冲击能量可以不断降低至500eV，提供出色的深度分辨率，同时保持较高的灵敏度。因此，IMS 7f-Auto可用于表征浅注入样品或薄层结构上掺杂物和杂质的深度分布。
右图：硅中的浅硼注入物——出色的深度分辨率，用于低能量深度剖析。