掺杂物的原子尺度表征(APT)

3D nanoscale analysis of dopant in semiconductor with Atom Probe Tomography
随着晶体管结构不断缩小以遵从摩尔定律,目前使用的现有分析和计量技术将不足以充分表征纳米级器件。原子探针具有通过在原子尺度上映射掺杂物的空间分布和化学特征来表征新一代技术周期的独特能力。

左图显示了由CAMECA LEAP Si分析的图案化半导体测试结构的三维重建;所显示的等效结构的透射电子显微镜(TEM)照片用于进行对比。

将多晶硅沉积在<100>单晶硅晶片上,在注入砷之前进行掩模和蚀刻。

栅介质位于多晶硅线的正下方。砷原子(紫色球体)位于多晶硅线的侧面,具有少量的横向分布。栅极氧化物和自然氧化物采用蓝色氧等浓缩表面表示。氧化物的表面形态表明注入工艺导致天然氧化物和硅基底产生了相当大程度的混合。

样品由英特尔公司提供。
TEM图像由佛罗里达大学提供。