LED器件中的掺杂物监测(SIMS)

Dopant monitoring in LEDs with SIMS
减少掺杂物(镁、硅、锌……)和杂质掺入(氢、碳、氧、金属)对高效LED器件至关重要。使用动态SIMS,可以在几分钟内记录几微米的深度分布,视待测的物质而定,检出限可从ppm到ppb范围。动态SIMS还提供高深度分辨率,已被广泛用于超浅注入技术。因此,CAMECA SIMS仪器非常适用于研究不同层的组成并表征掺杂物和杂质中的元素分布,是新型LED器件研发和过程控制的最佳选择。

掺杂和结构组成监测
IMS 7f-Auto采用扇形磁质谱仪技术,在灵敏度、深度分辨率和质量分辨率方面均达到基准性能。通常可获得针对基质和掺杂物质的深度剖析数据。选择实验条件是为了提供p型和n型掺杂物的最佳检出限,并确保提高通量和易用性。

杂质控制和失效分析
在LED化合物中,氢、碳和氧这些不良污染物会污染氮化镓晶体结构的缺陷处,从而影响电性能并改变预期的发射波长。凭借其分析室较高的真空度和高亮度一次离子束轰击,IMS 7f-Auto在轻元素分析方面超越了市场上所有其他分析仪器。具有无可比拟的氢、碳和氧检出限。