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垂直腔面发射激光器

GaAs/AlGaAs VCSEL结构的InGaN量子阱截面成像。尽管样品结构很厚(8.5微米),但深度分辨率没有受到影响,通过极低能量二次离子质谱(EXLIE SIMS)可以完全分辨3.4nm厚的量子阱。测试结果还证实了顶部和底部的分布式布拉格反射镜的质量很好。

本研究在波兰华沙-微电子和光子研究所Łukasiewicz研究网络的CAMECA SC Ultra仪器上分析。图片由Paweł Piotr Michałowski提供。