动态二次离子质谱 (D-SIMS) 以出色的精度和重现性检测基质中的掺杂离子。然而，当样品基质导电性不佳时，带电粒子可能会在 SIMS 分析过程中积聚在表面，从而妨碍可靠的深度分析。
WinTech 纳米技术服务公司的科学家们研究了一种使用 CAMECA D-SIMS 工具的正入射电子枪 (NEG) 的方法。
这里介绍的是使用这种方法对具有 SiN/SiO2 交错结构的三个样品进行的分析结果，该方法可应用于使用 IMS 7f-Auto 的其他绝缘多层样品。
阅读开放获取论文：
Dynamic SIMS Applications in Multilayer Films.
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