电力电子设备在家用电器、汽车电子和可再生能源等各个领域都是必不可少的。随着设备在更高电压、频率和温度下工作的需求日益增长,SiC 等宽带隙半导体正成为传统 Si 的重要替代品。
碳化硅具有优异的物理特性,但在加工过程中也面临挑战,特别是通过离子注入掺杂剂时,会产生晶格缺陷。
原子探针断层扫描 (APT) 是分析纳米级掺杂剂分布和缺陷的重要工具,可为改进下一代半导体器件提供深入见解。
更多详情,请参阅原始应用说明:
SiC 功率器件中的掺杂分布--原子探针层析成像和透射电子显微镜的启示。
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