科学家正在探索氧化铟锡 (ITO) 作为电极材料，以解决基于氧化钇稳定氧化锆 (YSZ) 的电化学传感器的尺寸和高温问题。他们测试了一种薄膜多层 YSZ 氧气传感器，该传感器在 SrTiO3 基板上配置了 Cu-Cu2O 作为参考电极和 ITO 作为工作电极。
该传感器在低至 623 K 的温度下检测到 10 至 824 ppm 的氧气水平，没有基线漂移。研究人员利用动态二次离子质谱法 (D-SIMS) 研究了 ITO 和 YSZ 之间的离子扩散，发现铟和锡离子在 20 纳米深度内浓度变化显著。即使在高温沉积后，ITO 和 YSZ 之间的尖锐界面也显示出较高的交换电流密度，该密度会随着温度的升高而显著降低。D-SIMS 的高深度分辨率和灵敏度对于分析这些界面至关重要，可为优化传感器材料提供见解。
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D-SIMS Analysis of Electrochemical Sensors
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