β-Ga2O3 因其超宽带隙和高击穿场而成为下一代电力电子的有前途的材料。硅是 β-Ga2O3 的有效掺杂剂，适用于横向和垂直器件。研究人员专注于使用带阀的喷射室对 (010) 和 (001) 基板上的 β-Ga2O3 外延膜进行连续 Si 掺杂。动态二次离子质谱 (D-SIMS) 用于测量 Si 浓度，显示 (010) 基板上的薄膜/基板界面处出现尖峰。
实现了具有平坦分布的连续掺杂，并确认了在 1000 °C 以上的温度下的稳定性。在 (001) 衬底上，观察到 8.3 × 10^18 cm−3 的平坦 Si 掺杂分布，突出了高电离效率。D-SIMS 被证明对于精确的掺杂控制至关重要，标志着电力电子材料科学的重大进步，并提高了设备性能和可靠性。
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Power Electronics: Accurate characterization of Si-doped β-Ga2O3 epitaxial films
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