探索动态 SIMS 分析工业硅中低剂量深质子注入的卓越功能。
📢 主讲人：Orazio Samperi，卡塔尼亚大学/意法半导体公司
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主要学习内容包括
- 质子植入的重要性： 了解质子植入为何是半导体基底改性的关键方法，尤其是在制造功率器件和宽带隙半导体工程缺陷方面。
- D-SIMS 深度剖析： 回顾动态二次离子质谱仪在分析硅中低剂量深度质子植入方面的关键作用，确保半导体器件的质量和性能。
- 新的 D-SIMS 协议： 了解一种新的 D-SIMS 方案，该方案可对 H 植入物进行可靠的深度剖面分析，其浓度约为 1E16cm-3，深度超过 20 μm！通过可重复性测试以及与数值模拟和展阻剖面电剖面的比较，验证了该协议的有效性。
关于演讲者
Orazio Samperi 于 2021 年获得化学学士学位和材料化学硕士学位，目前正在意大利卡塔尼亚大学攻读博士学位，推进材料科学和纳米技术方面的研究。他与意法半导体合作进行的研究重点是基于硅和 4H-SiC 的电力电子器件的先进离子注入技术。他的工作主要集中在质子和这些材料中的各种掺杂剂注入的结构和电学分析。 2022 年至 2024 年间，Orazio 作为奥斯陆大学材料科学和纳米技术中心的客座研究员，丰富了他的研究经验，重点关注动态 SIMS、RBS 和电深度分析技术。他撰写了两本出版物，并在 ICSCRM、SIMS Europe 和 E-MRS 等 2023 年重要会议上展示了他的研究成果。