由卡琳娜·吉尔（Carina Gill）、拉夫堡表面分析有限公司（Loughborough Surface Analysis Ltd）和CAMECA联合主办的网络研讨会将探讨离子注入在动态二次离子质谱（SIMS）分析中经久不衰的重要性——这项技术在半导体制造领域已应用超过五十年。
本次研讨会将介绍离子注入表征的原理，并演示如何利用离子注入来量化材料中未知的浓度，从而确保生产各个阶段的精度。
随着SIMS技术的不断发展，本次网络研讨会将重点强调掌握基础技术的重要性，以便充分利用高分辨率质谱技术进行先进材料分析。
⭐ 主要学习内容包括:
- 半导体制造中的二次离子质谱 (SIMS)：了解动态 SIMS 如何应用于整个生产过程（从原始晶圆到成品器件），以检测所有质量范围，包括痕量污染水平 (ppb)。
- 不断发展的分析技术：探索 SIMS 方法如何随着时间的推移而不断发展，而离子注入在定量分析中的应用却在 50 多年来始终保持不变。
- 离子注入定量：学习如何使用离子注入定量同一材料中的未知浓度——这是动态 SIMS 分析中的一项重要技术。
- 常见的陷阱：识别离子注入中常见的错误，并探索最佳实践，以确保结果的准确性和可靠性。
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🎙️ 关于演讲者：
Carina Gill 在 Loughborough Surface Analysis Ltd. 工作，这是一家专门从事磁场二次离子质谱 (SIMS) 的合同分析实验室。她在谢菲尔德大学完成了化学本科学位，研究方向为 X 射线晶体学。除了继续在 LSA 工作外，Carina 目前还在诺丁汉大学攻读博士学位。该博士学位旨在开发动态 SIMS 在表征钛合金间隙原子中的应用。 |